工業(yè)和信息化部公告《光伏制造行業(yè)規(guī)范條件》

中華人民共和國工業(yè)和信息化部公告 2015年第23號

　　為深入落實《國務院關于促進光伏產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展的若干意見》，進一步推動光伏產(chǎn)業(yè)結構調(diào)整和轉(zhuǎn)型升級，持續(xù)加強行業(yè)管理，提高行業(yè)發(fā)展水平，經(jīng)商有關部門，我們對《光伏制造行業(yè)規(guī)范條件》進行了修訂，形成了《光伏制造行業(yè)規(guī)范條件》。現(xiàn)予以公告。

　　光伏制造行業(yè)規(guī)范條件

　　為加強光伏行業(yè)管理，引導產(chǎn)業(yè)加快轉(zhuǎn)型升級和結構調(diào)整，推動我國光伏產(chǎn)業(yè)持續(xù)健康發(fā)展，根據(jù)國家有關法律法規(guī)及《國務院關于促進光伏產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展的若干意見》，按照優(yōu)化布局、調(diào)整結構、控制總量、鼓勵創(chuàng)新、支持應用的原則，制定本規(guī)范條件。

　　一、生產(chǎn)布局與項目設立

　　光伏制造企業(yè)及項目應符合國家資源開發(fā)利用、環(huán)境保護、節(jié)能管理等法律法規(guī)要求，符合國家產(chǎn)業(yè)政策和相關產(chǎn)業(yè)規(guī)劃及布局要求，符合當?shù)赝恋乩每傮w規(guī)劃、城市總體規(guī)劃、環(huán)境功能區(qū)劃和環(huán)境保護規(guī)劃等要求。

　　在國家法律法規(guī)、規(guī)章及規(guī)劃確定或省級以上人民政府批準的基本農(nóng)田保護區(qū)、飲用水水源保護區(qū)、自然保護區(qū)、風景名勝區(qū)、重要生態(tài)功能保護區(qū)和生態(tài)環(huán)境敏感區(qū)、脆弱區(qū)等法律、法規(guī)規(guī)定禁止建設工業(yè)企業(yè)的區(qū)域不得建設光伏制造項目。上述區(qū)域內(nèi)的現(xiàn)有企業(yè)應逐步遷出。

　　嚴格控制新上單純擴大產(chǎn)能的光伏制造項目。對加強技術創(chuàng)新、降低生產(chǎn)成本等確有必要的新建和改擴建項目，報行業(yè)主管部門及投資主管部門備案。新建和改擴建光伏制造項目，最低資本金比例為20%。

　　二、生產(chǎn)規(guī)模和工藝技術

　　光伏制造企業(yè)應采用工藝先進、節(jié)能環(huán)保、產(chǎn)品質(zhì)量好、生產(chǎn)成本低的生產(chǎn)技術和設備。

　　光伏制造企業(yè)應具備以下條件：在中華人民共和國境內(nèi)依法注冊成立，具有獨立法人資格；具有太陽能光伏產(chǎn)品獨立生產(chǎn)、供應和售后服務能力；具有省級以上獨立研發(fā)機構、技術中心或高新技術企業(yè)資質(zhì)，每年用于研發(fā)及工藝改進的費用不低于總銷售額的3%且不少于1000萬元人民幣；申報符合規(guī)范名單時上一年實際產(chǎn)量不低于本條第款產(chǎn)能要求的50%。

　　光伏制造企業(yè)按產(chǎn)品類型應分別滿足以下要求：1.多晶硅項目每期規(guī)模不低于3000噸/年；2.硅錠年產(chǎn)能不低于1000噸；3.硅棒年產(chǎn)能不低于1000噸；4.硅片年產(chǎn)能不低于5000萬片；5.晶硅電池年產(chǎn)能不低于200MWp；6.晶硅電池組件年產(chǎn)能不低于200MWp；7.薄膜電池組件年產(chǎn)能不低于50MWp；8.逆變器年產(chǎn)能不低于200MWp。

　　現(xiàn)有光伏制造企業(yè)及項目產(chǎn)品應滿足以下要求：1.多晶硅滿足《太陽能級多晶硅》1級品的要求；2.多晶硅片少子壽命大于2μs，碳、氧含量分別小于10和16PPMA；單晶硅片少子壽命大于10μs，碳、氧含量分別小于1和16PPMA；

　　3.多晶硅電池和單晶硅電池的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于17%和18.5%；

　　4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于15.5%和16%；

　　5.硅基、銅銦鎵硒、碲化鎘及其他薄膜電池組件的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于8%、11%、11%、10%；

　　6.含變壓器型的光伏逆變器中國加權效率不得低于96%，不含變壓器型的光伏逆變器中國加權效率不得低于98%。

　　新建和改擴建企業(yè)及項目產(chǎn)品應滿足以下要求：

　　1.多晶硅滿足《硅多晶》2級品以上要求；

　　2.多晶硅片少子壽命大于2.5μs，碳、氧含量分別小于8和6PPMA；單晶硅片少子壽命大于11μs，碳、氧含量分別小于1和16PPMA；

　　3.多晶硅電池和單晶硅電池的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于18.5%和20%；

　　4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于16.5%和17%；

　　5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜電池組件的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于12%、13%、13%、12%。

　　多晶硅電池組件和單晶硅電池組件衰減率在1年內(nèi)分別不高于2.5%和3%，25年內(nèi)不高于20%；薄膜電池組件衰減率在1年內(nèi)不高于5%，25年內(nèi)不高于20%。